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[发明专利]具有U形隧穿绝缘层的绝缘栅隧穿双极晶体管及制造工艺-CN201410742686.1有效
发明人：刘溪;靳晓诗 -专利权人：沈阳工业大学
申请日： 2014-12-08 - 公布日： 2015-04-01 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有U形隧穿绝缘层的绝缘栅隧穿双极晶体管，通过U形隧穿绝缘层用于产生栅电极隧穿电流，并利用隧穿绝缘层阻抗与隧穿绝缘层内电场强度之间极为敏感的相互关系，使U形隧穿绝缘层在栅电极极短的电势变化区间内实现高阻态和低阻态之间的转换，对比现有技术可实现更好的开关特性；并通过双极放大明显改善了纳米级绝缘栅晶体管的正向导通特性，本发明还提出具有U形隧穿绝缘层的绝缘栅隧穿双极晶体管的具体制造方法。
具有形隧穿绝缘栅隧穿双极晶体管制造工艺

[发明专利]磁穿隧接面及三维磁穿隧接面数组-CN201610805752.4有效
发明人：林育中 -专利权人：林育中
申请日： 2016-09-07 - 公布日： 2020-01-14 - 主分类号： H01L43/02 文献下载
摘要：一种磁穿隧接面单元具有一第一电极，第一电极具有沿着实质上垂直于一基板之一主动表面之一方向延伸的一轴向。该磁穿隧接面单元更具有一固定层、一U形自由层、夹置于该固定层与该U形自由层之间的一穿隧层、及嵌于该U形自由层中的一第二电极。设于该第一电极与该第二电极之间的该固定层、该穿隧层、及该U形自由层构成一磁穿隧接面。该穿隧层亦可为U形。
磁穿隧接面三维数组

[发明专利]一种新型的磁隧穿结器件及其制造方法-CN201110318281.1有效
发明人：季明华;韩秀峰;于国强 -专利权人：中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2011-10-19 - 公布日： 2013-04-24 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种新型的磁隧穿结器件及其制造方法。利用大马士革工艺制造磁隧穿结器件，从而在绝缘层的开口内形成杯形的磁隧穿结器件。进一步的，在杯形的磁隧穿结器件侧壁顶部形成钝化层，以封闭该侧壁顶部，从而减少磁力线的泄露。通过上述工艺，可以使得磁隧穿结器件共用CMOS工艺线，并且提高磁隧穿结器件的良率。
一种新型磁隧穿结器件及其制造方法

[发明专利]一种互补隧穿晶体管结构及其制备方法-CN200910200625.1无效
发明人：王鹏飞;孙清清;丁士进;张卫 -专利权人：复旦大学
申请日： 2009-12-24 - 公布日： 2010-07-07 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：本发明属于微电子技术领域，具体公开了一种源极为窄禁带宽度的互补隧穿晶体管(CTFET)结构及其制备方法。该互补隧穿晶体管由源极为窄禁带宽度的U形N型隧穿晶体管(NTFET)和U形P型隧穿晶体管(PTFET)组成。对于N型隧穿晶体管，使用SiGe、Ge等材料，对于P型隧穿晶体管，使用AsGa、InAsGa等材料。由于该CTFET采用了窄禁带宽度材料，其驱动电流得到提升，同时，由于该CTFET采用了U形沟道结构，其漏电流也得到了抑制。本发明提出的CTFET具有低漏电流、高驱动电流、低功耗、集成度高等优点。
一种互补晶体管结构及其制备方法

[发明专利]具有U形隧穿层基极的栅绝缘隧穿凹槽双极晶体管-CN201410747342.X有效
发明人：刘溪;靳晓诗 -专利权人：沈阳工业大学
申请日： 2014-12-08 - 公布日： 2017-12-05 - 主分类号： H01L29/735 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有U形隧穿层基极的栅绝缘隧穿凹槽双极晶体管，对比同尺寸MOSFETs或隧穿场效应晶体管，利用隧穿绝缘层阻抗与其内部场强间极为敏感的相互关系实现优秀的开关特性；利用栅绝缘隧穿电流作为引发发射集电流的驱动电流，实现了更高的正向导通特性；利用发射区、基区和集电区所形成的凹槽形几何特征，对比于普通平面结构，避免了发射区、基区和集电区沿水平方向依次排列，因此节省了芯片面积，可以实现更高的集成度。另外本发明还提出了一种具有U形隧穿层基极的栅绝缘隧穿凹槽双极晶体管的具体制造方法。该晶体管显著改善了纳米级集成电路单元的工作特性，适用于推广应用。
具有形隧穿层基极绝缘凹槽双极晶体管

[发明专利]一种源极为肖特基结的隧穿晶体管结构及其制造方法-CN200910247546.6无效
发明人：王鹏飞;吴东平;张卫 -专利权人：复旦大学
申请日： 2009-12-30 - 公布日： 2010-07-07 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明属于半导体器件技术领域，具体公开了一种源极为肖特基结的隧穿晶体管(TFET)结构及其制备方法，该隧穿晶体管采用源极为肖特基结的U形沟道结构，其驱动电流得到提高的同时漏电流也得到了减小；同时，该隧穿晶体管利用自对准金属硅化物工艺形成晶体管的栅极、源极和漏极，工艺过程简单，成本低廉，器件的性能得到了很大提升；而且，使用不同的肖特基结做为U形沟道的N型隧穿晶体管(NTFET)和P型隧穿晶体管(PTFET)的源极，可以制成类似CMOS结构的互补隧穿晶体管
一种极为肖特基结晶体管结构及其制造方法

[发明专利]内嵌折叠栅马鞍形绝缘隧穿增强晶体管及其制造方法-CN201410742995.9在审
发明人：靳晓诗;吴美乐;刘溪;揣荣岩 -专利权人：沈阳工业大学
申请日： 2014-12-08 - 公布日： 2015-03-25 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明涉及一种内嵌折叠栅马鞍形绝缘隧穿增强晶体管，对比同尺寸MOSFETs或TFETs器件，具有低寄生电容和低反向泄漏电流的优点。利用隧穿绝缘层阻抗与其内部场强间极为敏感的相互关系实现优秀的开关特性；通过发射极将隧穿信号增强实现了优秀的正向导通特性；另外本发明还提出了一种内嵌折叠栅马鞍形绝缘隧穿增强晶体管单元及其阵列的具体制造方法
折叠马鞍形绝缘增强晶体管及其制造方法

[发明专利]一种势垒调控式H形栅控双向隧穿晶体管及其制造方法-CN201711050865.9有效
发明人：靳晓诗;马恺璐;刘溪 -专利权人：沈阳工业大学
申请日： 2017-10-31 - 公布日： 2020-02-07 - 主分类号： H01L29/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种势垒调控式H形栅控双向隧穿晶体管及其制造方法，本发明所述器件具有H形栅电极、势垒调节栅和左右对称的结构特征，具有较强的栅极控制能力并且可以通过调节源漏可互换电极电压控制金属源漏可互换区作为源区或漏区，改变隧穿电流方向。对比于普通MOSFETs型器件，利用隧穿效应实现更优秀的开关特性；对比于普通的隧穿场效应晶体管，本发明具有普通的隧穿场效应晶体管所不具备的源漏可互换的双向对称开关特性，因此适合推广应用。
一种调控形栅控双向晶体管及其制造方法

[发明专利]高集成度L形栅控肖特基势垒隧穿晶体管-CN201310597784.6有效
发明人：刘溪;靳晓诗;揣荣岩 -专利权人：沈阳工业大学
申请日： 2013-11-20 - 公布日： 2017-10-20 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明涉及一种高集成度L形栅控肖特基势垒隧穿晶体管，采用源电极与本征硅源区间形成的肖特基势垒作为器件的隧穿势垒，利用其势垒高度小于硅禁带宽度的特点，在无需引入比硅禁带宽度更窄的材料的前提下，实现比普通基于硅材料的PIN型隧穿场效应晶体管更高的隧穿几率，以此提高亚阈值斜率和器件的电流导通能力；采用L形栅电极来控制具有凹槽结构特征的本征硅沟道区，一方面对肖特基势垒宽度具有良好的控制作用，一方面减弱栅电极对重掺杂漏极区的控制作用，实现具有陡峭亚阈值斜率、良好开关特性、高导通电流以及反向低泄漏电流和静态功耗的适合作为深纳米级集成电路设计基本单元的高集成度L形栅控肖特基势垒隧穿晶体管。
集成度形栅控肖特基势垒隧穿晶体管

[发明专利]半导体结构及其形成方法、半导体器件-CN201911320044.1在审
发明人：刘继全 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2019-12-19 - 公布日： 2021-06-22 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：形成隧穿氧化膜，形成隧穿氧化膜的步骤包括：依次形成多个子隧穿氧化膜；形成子隧穿氧化膜的步骤包括：形成初始子隧穿氧化膜；对初始子隧穿氧化膜进行氧化处理，使初始子隧穿氧化膜转化为子隧穿氧化膜本发明实施例依次形成多个子隧穿氧化膜以形成隧穿氧化膜，初始子隧穿氧化膜的厚度较薄，因此，有利于保证初始子隧穿氧化膜在所述氧化处理的过程中能够完全被氧化、并提高氧化处理的均匀性，从而有利于提高氧原子在子隧穿氧化膜中的分布均匀性、改善子隧穿氧化膜材料中的晶格结构，相应提高了隧穿氧化膜的薄膜质量，进而在后续图形化隧穿氧化膜以形成隧穿氧化层后，有利于提升隧穿氧化层的薄膜质量。
半导体结构及其形成方法半导体器件

[发明专利]H形栅控源漏对称可互换型隧穿晶体管及其制造方法-CN201711048116.2有效
发明人：靳晓诗;王艺澄;刘溪 -专利权人：沈阳工业大学
申请日： 2017-10-31 - 公布日： 2019-11-22 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明涉及一种H形栅控源漏对称可互换型隧穿晶体管及其制造方法，本发明所述器件具有矩形栅极和左右对称的结构特征，具有较强的栅极控制能力并且可以通过调节源漏可互换电极电压控制第二类杂质重掺杂源漏可互换区作为源区或漏区，改变隧穿电流方向。对比于普通MOSFETs型器件，利用隧穿效应实现更优秀的开关特性；对比于普通的隧穿场效应晶体管，本发明具有普通的隧穿场效应晶体管所不具备的源漏可互换的双向对称开关特性，因此适合推广应用。
形栅控源漏对称互换型隧穿晶体管及其制造方法

[发明专利]源漏对称可互换双括号形栅控隧穿晶体管及其制造方法-CN201711046023.6有效
发明人：刘溪;夏正亮;靳晓诗 -专利权人：沈阳工业大学
申请日： 2017-10-31 - 公布日： 2019-11-22 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明涉及源漏对称可互换双括号形栅控隧穿晶体管及其制造方法，本发明所述器件具有折叠辅助栅、双括号栅和左右两侧对称的结构特征，具有较强的栅极控制能力并且可以通过调节源漏可互换电极的电压控制重掺杂源漏可互换区作为源区或漏区，改变隧穿电流方向。对比于普通MOSFETs型器件，利用隧穿效应实现更优秀的开关特性；对比于普通的隧穿场效应晶体管，本发明具有普通的隧穿场效应晶体管所不具备的源漏对称可互换的双向开关特性，因此适合推广应用。
对称互换括号形栅控隧穿晶体管及其制造方法

[发明专利]双括号形栅控双向开关隧穿晶体管及其制造方法-CN201711046024.0有效
发明人：靳晓诗;高云翔;刘溪 -专利权人：沈阳工业大学
申请日： 2017-10-31 - 公布日： 2020-04-03 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明涉及一种双括号形栅控双向开关隧穿晶体管及其制造方法，本发明所述器件具有括号栅极和左右对称的结构特征，具有较强的栅极控制能力并且可以通过调节源漏可互换电极电压控制第二类杂质重掺杂源漏可互换区作为源区或漏区，改变隧穿电流方向。对比于普通MOSFETs型器件，利用隧穿效应实现更优秀的开关特性；对比于普通的隧穿场效应晶体管，本发明具有普通的隧穿场效应晶体管所不具备的源漏可互换的双向对称开关特性，因此适合推广应用。
括号形栅控双向开关晶体管及其制造方法

[发明专利]一种矩形栅控U形沟道双向开关隧穿晶体管及其制造方法-CN201711046022.1有效
发明人：靳晓诗;高云翔;刘溪 -专利权人：沈阳工业大学
申请日： 2017-10-31 - 公布日： 2019-10-15 - 主分类号： H01L29/73 文献下载
摘要：本发明涉及一种矩形栅控U形沟道双向开关隧穿晶体管及其制造方法，本发明所述器件具有矩形栅极和左右对称的结构特征，具有较强的栅极控制能力并且可以通过调节源漏可互换电极电压控制第二类杂质重掺杂源漏可互换区作为源区或漏区，改变隧穿电流方向。对比于普通MOSFETs型器件，利用隧穿效应实现更优秀的开关特性；对比于普通的隧穿场效应晶体管，本发明具有普通的隧穿场效应晶体管所不具备的源漏可互换的双向对称开关特性，因此适合推广应用。
一种矩形沟道双向开关晶体管及其制造方法

[发明专利]低蚀刻率自对准磁穿隧接面装置结构-CN201880047456.X有效
发明人：杰斯明·哈克;锺汤姆;滕忠健 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-05-30 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H10N50/10 文献下载
摘要：公开了用于形成自对准于旗下的底部电极BE(35,36)的一种磁穿隧接面(MTJ)单元(47)的制程流程。底部电极优选具有T形。磁穿隧接面堆叠层包括最上层硬遮罩(46)，其沉积于底部电极上并因为自对准沉积制程而具有宽度w2。虚置磁穿隧接面堆叠(49)也形成在第一底部电极层的周围。其后，沉积封装层(80)，将磁穿隧接面单元绝缘，并填充第一底部电极层与虚置磁穿隧接面堆叠之间的间隙。
蚀刻对准磁穿隧接面装置结构

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